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2018-06STM32WB無線系列mcu

STM32WB系支持無線功能的雙核 MCU,內(nèi)嵌 工作頻率為 64 MHz 的 Arm® Cortex®-M4 內(nèi)核【應(yīng)用處理器】和工作頻率為 32 MHz 的 Arm® Cortex®-M0+ 內(nèi)核【網(wǎng)絡(luò)處理器】。憑借兩款完全獨立內(nèi)核的創(chuàng)新型架構(gòu)設(shè)計,其針對實時執(zhí)行(無線相關(guān)的軟件處理)、資源使用靈活性、電源管理和 BOM 成本都進行了[詳細]


2018-06STM32 F2系列Cortex-M3高性能mcu

基于ARM® Cortex®-M3的STM32 F2系列單片機采用意法半導體先進的90 nm NVM制程制造而成,具有創(chuàng)新型自適應(yīng)實時存儲器加速器(ART加速器™)和多層總線矩陣, 實現(xiàn)了前所未有的高性價比。該系列MCU具有集成度高的特點:整合了1MB Flash存儲器、128KB SRAM、以太網(wǎng)MAC、USB 2.0 HS OTG、照相機接口、[詳細]


2018-06帶有DSP和FPU指令的STM32 F3系列混合信號mcu

STM32 F3系列單片機具有運行于72 MHz的32位ARM® Cortex®-M4內(nèi)核(帶有FPU和DSP指令)并集成多種模擬外設(shè),從而降低應(yīng)用成本并簡化應(yīng)用設(shè)計,它包括:•  超快速比較器(25 ns)•  具有可編程增益的運算放大器•  12位DAC•  超快速12位ADC,單通道每秒5 M次采[詳細]


2018-06配備ARM® Cortex®-M7內(nèi)核的STM32F7系列超高性能mcu

得益于意法半導體的ART Accelerator™ 加速器以及一級高速緩存【L1 CACHE】,不論是從內(nèi)部閃存還是外部存儲器執(zhí)行程序,STM32F7微控制器均能釋放Cortex-M7內(nèi)核的最高性能理論值: 在216 MHz fCPU主頻時,性能測試取得1082 CoreMark /462 DMIPS的成績。富有更多新外設(shè)的智能系統(tǒng)架構(gòu)STM32F7系列充分釋放Cort[詳細]


2018-06基于ARM® Cortex®-M7內(nèi)核的STM32H7系列高性能mcu

利用L1緩存,STM32H7 32位單片機實現(xiàn)了Cortex-M7內(nèi)核的最高理論性能——無論是從嵌入式閃存還是外部存儲器來執(zhí)行代碼:400 MHz 處理器頻率下性能可達到 2010 CoreMark /856 DMIPS。STM32H7系列32位MCU采用Cortex-M7內(nèi)核,具有新一代外設(shè)集的智能架構(gòu)• 面向內(nèi)核、外設(shè)和存儲器互連的AXI總線和多AHB總線矩陣[詳細]


2018-06STM32 L0系列Cortex-M0+超低功耗mcu

STM32 L0 MCU的每個部分都通過優(yōu)化達到了卓越的低功耗水平。由此產(chǎn)生了功耗性能破紀錄的真正超低功耗MCU。ARM® Cortex®-M0+內(nèi)核與STM32單片機超低功耗特性的獨有結(jié)合,使STM32 L0 MCU非常適合電池供電或供電來自能量收集的應(yīng)用。STM32 L0微控制器提供了動態(tài)電壓調(diào)節(jié)、超低功耗時鐘振蕩器、LCD接口、比較[詳細]


2018-06新唐mcu在電池保護板中的應(yīng)用

鋰離子電池根據(jù)應(yīng)用場景可分為「動力」、「消費」和「工業(yè)與儲能」三種,盡管傳統(tǒng)使用鋰離子電池電子產(chǎn)品成長趨緩,如手機、筆記本電腦、數(shù)碼產(chǎn)品等,近年來出現(xiàn)的多種新型產(chǎn)業(yè)增加了對鋰離子電池的需求,如:電動工具、VR眼鏡、無人機與可穿戴設(shè)備等,鋰離子電池未來的重點應(yīng)用將集中在電動工具、輕型電動車、[詳細]


2018-05新唐芯片代理要求,芯唐單片機代理的要求

MCU是產(chǎn)品的核心,可以做單片機的廠家都很牛逼,芯唐電子作為臺產(chǎn)MCU的龍頭老大,自然也收到分銷渠道的關(guān)注,這也是本公司將新唐的單片機作為本公司的核心業(yè)務(wù)來做的原因。也有不少同行過來問,穎特新是怎么拿到代理的啊?新唐芯片代理有哪些要求?要求還真不少,具體的你可以去找芯唐原廠的人去談,大概的可以[詳細]


2018-05C語言訪問mcu寄存器的兩種方式

單片機的特殊功能寄存器SFR,是SRAM地址已經(jīng)確定的SRAM單元,在C語言環(huán)境下對其訪問歸納起來有兩種方法。1、采用標準C的強制類型轉(zhuǎn)換和指針來實現(xiàn)采用標準C的強制轉(zhuǎn)換和指針的概念來實現(xiàn)訪問MCU的寄存器,例如:#define DDRB (*(volatile unsigned char *)0x25)分析如下:A:(unsigned char *)0x25中的0x25[詳細]


2018-05單片機C語言實現(xiàn)循環(huán)移位!

大家知道,大家用MCU寫程序的時候,只有移位的語句,沒有循環(huán)移位的語句。那么如何實現(xiàn)循環(huán)移位呢,詳見下述: 循環(huán)移位區(qū)別于一般移位的是移位時沒有數(shù)位的丟失。循環(huán)左移時,用從左邊移出的位填充字的右端,而循環(huán)右移時,用從右邊移出的位填充字的左側(cè)。這種情況在系統(tǒng)程序中時有使用,在一些控制程[詳細]


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